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LED芯片AN059
发布日期: 2020-03-17  访问量:

江西南昌市南昌经济技术开发区南昌凯迅光电有限公司

项目简介

新型的LED照明产业,与传统的钨丝灯、日光灯照明相比,有着的寿命高、功率小、亮度高的特点,在节能环保方面有着明显的优势。高亮度的LED芯片,作为LED照明产业的主要材料,其发展速度直接带动着新型照明产业的发展。随着国内外对节能环保的重视,更加刺激了LED芯片市场的拓展。从市场需求和竞争格局的发展趋势来看,在未来几年,LED芯片的需求将大幅增长,国内的产能发挥将进一步提升。基于以上市场和产业预判,当前国内活跃的LED芯片龙头企业已经在积极布局扩产计划,这也将极大改变当前的产业竞争格局,产业的集中度会进一步向龙头企业集中。如果企业错过这一轮的行业快速整张和产能扩张机遇,将在今后的产业竞争中处于非常不利的位置。LED芯片AN059是公司顺应市场需求,专为户内屏、户外屏、动车屏、广告牌位等各类照明产业的发展需求而设计,满足高端LED应用产品需求,改变目前国产高性能红黄光LED的落后局面,拓宽LED的应用领域。产品技术指标尺寸为5.9mil×5.9mil,20mA驱动电流下,其波长在620nm-625nm,亮度(最高档)达到110-126mcd,电压在2.05V,良率达到85%以上,达成产品性能技术指标。可靠性指标:在高温60℃、30mA驱动电流的加速条件下,产品封装成直插式单灯后点亮进行老化96h,老化前后其光通量衰减3.4%;在常温25℃、10mA驱动电流的条件下,产品封装成直插式单灯后点亮进行老化1000h,老化前后其光通量衰减3.0%;在常温25℃、30mA驱动电流的条件下,产品封装成直插式单灯后点亮进行老化1000h,老化前后其光通量衰减3.3%。产品可靠性技术指标达成预期目标。技术创新点:①设计并生长了新颖的多量子阱结构,获得较高的内量子效率;同时,设计并优化了一种复合DBR反射镜,从而提高外量子效率。正装结构的红光LED20mA驱动电流下亮度可达到110mcd以上,达到国内领先水平;②揭示了LED的光衰与外延结构的关系,首次提出外延结构与掺杂对LED的可靠性的影响,在国内首次实现对LED光衰进行预先设计及外延实施,使之1000小时加速老化条件下,光衰≤5%。在相同的尺寸条件下,要生产出高亮度的LED芯片,不仅要提高外延片的亮度,同时要降低芯片的尺寸损失,从而提升产品亮度,为此,我司特采用了如下技术,以满足产品性能技术指标:①设计并生长了新颖的多量子阱结构,有效提高了载流子符合,获得较高的内量子效率;同时,设计并优化了一种复合DBR反射镜,极大提高了量子阱发光区的出光特性,从而提高外量子效率。采用以上措施后,使得正装结构的红光LED20mA驱动电流下亮度可达到110mcd以上,达到国内领先水平;②揭示了LED的光衰与外延结构的关系,首次提出外延结构与掺杂对LED的可靠性的影响,在国内首次实现对LED光衰进行预先设计及外延实施,使之1000小时加速老化条件下,光衰≤5%;③通过引入超晶格释放应力,搭配晶格渐变的AlGaInP过渡层,同时调节掺杂,温度,V/III比等生长条件,完美解决了LED外延中AlGaInP-GaP失配材料的生长难题,获得了表面光滑,稳定可靠的GaP外延层,显著地提高了LED的光电性能及成品率。④采用薄刀片切割技术,将之前刀片切割宽度25微米左右,减少至切割宽度18微米左右,保证切割质量,降低了芯片尺寸的损失,同比增大了发光区面积,不仅提高了发光效率,还提高了产品产出率。通过以上技术方案的解决,使产品的主要性能指标达到国内先进水平。该新产品经项目组成员反复试制和批量生产验证,已形成一套成熟的生产流程和工艺方法,生产出的成品质量稳定,性能、可靠性符合设计要求,同时也均满足顾客要求。LED芯片AN059可广泛的应用于户内屏、户外屏、动车屏、广告牌位等各类照明产业,产品具有亮度高、功率小、发热低、寿命长的优点。该款产品外观、尺寸、性能指标已经可靠性均已满足了客户的要求并已正式供货;产品性能可靠,达到设计技术指标要求;产品生产线人员、设备、技术具备批量生产要求的能力;设计和工艺文件齐全,可以满足大批量生产需求。